半导体设备替代提速!长鑫、长江扩产助力2030年国产化率冲刺39%

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6月29日消息,市调机构Yole Group发布《中国本土半导体设备产业2026》报告,国内半导体设备本土化比例从2021年8%提升至2025年23.2%,机构预测2030年将攀升至39%,行业自给规模实现近乎翻倍增长。

长鑫存储与长江存储两大国产存储厂商的产能扩建,成为拉动本土设备订单增长的重要动力。

长鑫存储2026年第二季度启动多轮设备招标,其中扩产配套设备采购预算达到50至60亿美元,持续拉升晶圆制造产能。

长江存储二号厂房持续推进工艺设备管线配套采购,两大龙头同步扩产直接带动刻蚀、薄膜沉积、化学机械抛光等存储核心工艺设备批量落地验证,本土设备供货份额持续走高。

从细分工艺赛道来看,国产设备在刻蚀、薄膜沉积、化学机械抛光环节替代速度最快,量测检测、湿法清洗与离子注入设备迭代进度平稳,高端光刻设备依旧是行业长期技术短板。

两家存储工厂中长期扩建规划同步落地,长鑫推进上海厂区建设,规划产能为合肥基地两至三倍,预计2027年正式投入晶圆量产。

长江存储武汉第三工厂同样锁定2027年投产,全部产能用于3D NAND闪存制造。

业内人士表示,全球存储市场长期由海外三家巨头主导,国产存储合计全球市占率约两成。两大存储厂商持续扩产,为本土设备厂商创造了广阔的市场空间。