5 月 8 日消息，英诺赛科今日宣布，美国国际贸易委员会（ITC）在第 337‑TA‑1414 号调查中作出最终裁定，确认英诺赛科当前的氮化镓 GaN 功率器件产品未侵犯英飞凌的相关专利，并可不受限制地继续在美国进口和销售。
注：英诺赛科是一家总部位于珠海的氮化镓类器件制造商，产品包括高低压氮化镓电源 IC、功率半导体等。2024 年底，英诺赛科在香港联合交易所主板挂牌上市，标志着国内氮化镓半导体第一股诞生。
ITC 全体委员一致同意英诺赛科现有产品未侵犯英飞凌的美国第 9,070,755 号专利（涉及电极设计）和第 9,899,481 号专利（涉及封装设计）。
英诺赛科表示，委员会仅认定第 9,899,481 号专利中的两项权利要求有效且仅被英诺赛科早已停止生产和销售的历史旧产品侵权。因此，相关的进口和销售禁令对英诺赛科在美国的现有业务不具有实质影响。英诺赛科将继续不间断地向美国及全球客户供应其现有的 GaN 功率产品。
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