4月25日消息，英特尔株式会社与软银旗下子公司SAIMEMORY联合宣布，日本新能源产业技术综合开发机构（NEDO）已选定ZAM作为下一代内存标准，该标准被视为高带宽存储器（HBM）的替代方案。
该项目将获得日本政府专项补贴资金，全面提速为期3.5年的整体研发计划。
ZAM全称为Z-Angle Memory（Z角内存），是英特尔时隔数十年再度推出的自研内存产品。该技术核心优势集中在超高密度、超大带宽、超低功耗三大特性。
相比传统内存，ZAM功耗可降低40%至50%，架构设计大幅简化，量产难度更低，单颗芯片最高容量可达512GB。
技术层面，ZAM采用特殊Z角互连架构，将多颗DRAM存储芯片紧密堆叠，再通过专属互连技术连通。整体内存堆叠模组借助基底芯片下方的EMIB嵌入式多芯片互连桥，与CPU、GPU等核心计算芯片高效连接。
该项目最早于今年2月正式公布，由英特尔与软银联手打造，旨在破解全球持续发酵的内存资源危机，解决当下人工智能、高性能计算领域普遍面临的内存短缺、硬件受限等行业难题。
现阶段ZAM还将整合日本及全球范围内的技术研发、芯片制造与供应链资源，为后续规模化落地和商业化量产铺路。
英特尔日本总裁大野诚表示，多年来英特尔联合美国能源部国家实验室、新一代DRAM键合计划，反复验证了ZAM技术的底层科学原理。此次获得日本官方扶持，将推动这项技术快速落地并走向全球，同时巩固美日科技合作。
值得关注的是，英特尔早年曾是全球内存行业头部厂商，后续市场份额被日本存储厂商逐步挤压，最终退出内存赛道。如今局势反转，昔日行业对手正全力助力英特尔重返内存市场。
